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一种纳米材料透射电镜原位光电测试芯片、芯片制备方法及其应用
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   CN201510475758.5
   南京大学
   发明授权
   王鹏;蔡嵩骅;古宸溢

项目介绍

一种纳米材料透射电镜原位光电测试芯片、芯片制备方法及其应用

专利(申请号) CN201510475758.5 申请人 南京大学
IPC分类号
H01L31/0216(2014.01)I; H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利类型 发明授权
公开号 CN105140307A 保护年限 20年
代理机构 南京知识律师事务所 32207 代理人 蒋海军
公开日 1449590400000 发明设计人 王鹏;蔡嵩骅;古宸溢

摘要

本发明公开了一种纳米材料透射电镜原位光电测试芯片、芯片制备方法及其应用,属于纳米材料性能原位测试技术领域。本发明的芯片包括硅基片、绝缘层、金属电极、薄膜窗口和发光二极管,在硅基片两面都长有绝缘层;在芯片正面绝缘层上长有金属电极,可以与样品进行电学连接;在芯片中央有薄膜窗口,在薄膜窗口区域开有透电子束槽或透电子束孔,在薄膜窗口前的一对金属电极上焊接有发光二极管。本发明可以同时对样品进行可控光照并施加电学作用或接收样品的电信号,从而实现在原子尺度分辨率下对透射电镜样品进行光电原位测量。

主权项

一种纳米材料透射电镜原位光电测试芯片,包括硅基片、绝缘层和金属电极(2),其特征在于:还包括发光二极管(1)和薄膜窗口(3),所述的硅基片两面均设置有绝缘层,且硅基片正面开设有由绝缘层构成的薄膜窗口(3),薄膜窗口(3)中开有透电子束槽或透电子束孔;所述的金属电极(2)也设置于硅基片正面的绝缘层上,发光二极管(1)则固定于金属电极(2)上;所述的发光二极管(1)为侧面发光式二极管。

状态信息

法律状态 费用信息 实施许可 质押保全 专利转移

法律状态 公告日 详情
公开 2015.12.09 公开
授权 2017.04.26 授权
实质审查的生效 2016.01.06 实质审查的生效
号牌文件类型代码:1604
号牌文件序号:101640709863
IPC(主分类):H01L 31/0216
专利申请号:2015104757585
申请日:20150806
费用种类 费用金额(单位:元) 缴费人信息 处理状态 缴费日
发明专利申请费 270
南京大学
暂未处理
2015.08.11
发明专利文印费 50
南京大学
暂未处理
2015.08.11
发明专利申请审查费 750
南京大学
暂未处理
2015.08.11
发明专利登记印刷费 250
南京大学
暂未处理
2017.03.28
发明专利第3年年费 270
南京大学
暂未处理
2017.03.28
印花税 5
南京大学
暂未处理
2017.03.28
名称 许可种类 让与人 受让人 当前受让 备案日 变更日 解除日
名称 质押保全类型 出质人 质权人 当前质权人 生效日 变更日 解除日
名称 信息转移类型 变更前权利人 变更后权利人 当前权利人 变更前地址 变更后地址 当前地址 生效日