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用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片
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   CN201410213806.9
   厦门大学
   发明授权
   程翔;范程程;陈朝;史晓凤;郑明;徐攀

项目介绍

用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片

专利(申请号) CN201410213806.9 申请人 厦门大学
IPC分类号
H01L27/144(2006.01)I; H01L31/103(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I
专利类型 发明授权
公开号 CN103972247A 保护年限 20年
代理机构 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人 马应森
公开日 1407254400000 发明设计人 程翔;范程程;陈朝;史晓凤;郑明;徐攀

摘要

用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片,涉及光电集成电路。设有硅基光电探测器和硅基光电探测器跟随的放大集成电路;所述硅基光电探测器的纵向结构自下而上依次是低掺杂的P型硅衬底、N阱、N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、金属铝、三层的SiO2绝缘介质层、Si3N4表面钝化层;硅基光电探测器跟随的放大集成电路设有互阻前置放大器、限幅放大器和差分输出缓冲电路,互阻前置放大器的输入端接硅基光电探测器,互阻前置放大器的输出端接限幅放大器输入端,限幅放大器输出端接差分输出缓冲电路输入端。可实现650nm±17.8nm光电探测器的放大集成电路的单片光电集成,可满足自动抄表系统100Mbps传输速率要求。

主权项

用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片,其特征在于设有硅基光电探测器和硅基光电探测器跟随的放大集成电路;所述硅基光电探测器采用“N+/N‑Well/P‑Sub”结构,硅基光电探测器的纵向结构自下而上依次是:第一层是低掺杂的P型硅衬底;第二层是N阱;第三层是N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、金属铝;第四层到第六层为三层的SiO2绝缘介质层;第七层是Si3N4表面钝化层;所述P型硅衬底、N阱、N型重掺杂硅、P型重掺杂硅设于同一硅片材料上,金属铝通过溅射工艺沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共三层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上;所述硅基光电探测器跟随的放大集成电路设有互阻前置放大器、限幅放大器和差分输出缓冲电路,互阻前置放大器的输入端接硅基光电探测器,互阻前置放大器的输出端接限幅放大器输入端,限幅放大器输出端接差分输出缓冲电路输入端。

状态信息

法律状态 费用信息 实施许可 质押保全 专利转移

法律状态 公告日 详情
费用种类 费用金额(单位:元) 缴费人信息 处理状态 缴费日
名称 许可种类 让与人 受让人 当前受让 备案日 变更日 解除日
名称 质押保全类型 出质人 质权人 当前质权人 生效日 变更日 解除日
名称 信息转移类型 变更前权利人 变更后权利人 当前权利人 变更前地址 变更后地址 当前地址 生效日