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用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片
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   CN201210345432.7
   厦门大学
   发明授权
   程翔;史晓凤;李继芳;陈朝;潘江炳;颜黄苹;卞剑涛

项目介绍

用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片

专利(申请号) CN201210345432.7 申请人 厦门大学
IPC分类号
H01L27/06(2006.01)I; H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H04B10/25(2013.01)I
专利类型 发明授权
公开号 CN102856324A 保护年限 20年
代理机构 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人 马应森;刘勇
公开日 1357056000000 发明设计人 程翔;史晓凤;李继芳;陈朝;潘江炳;颜黄苹;卞剑涛

摘要

用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片,涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片,该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块里的光电探测器芯片和前置放大集成电路芯片,实现650nm±17.8nm光电探测器和前置放大集成电路的单片光电集成,可满足塑料光纤通信100Mbps传输速率要求,用于塑料光纤通信650nm±17.8nm波长的光接收端。可采用标准的0.5μm BCD工艺制备。

主权项

用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片,其特征在于采用0.5μm标准BCD工艺制备,所述用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片设有硅基光电探测器和前置放大集成电路;硅基光电探测器的结构采用叉指状P型重掺杂硅/N‑EPI外延层/BN+埋层结构;硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+埋层、BP+埋层、N‑EPI外延层、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、铝、场氧区、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层;P型硅衬底、BN+埋层、BP+埋层、N‑EPI外延层、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片上;场氧区为硅片表面生成的氧化硅,铝沉积在硅片表面;由下至上共3层SiO2绝缘介质层附着在硅衬底上;Si3N4表面钝化层附着在SiO2绝缘介质层上;硅基光电探测器纵向结构自下而上依次是:第一层为低掺杂的P型硅衬底,第二层为BN+埋层和BP+埋层,第三层为N‑EPI外延层,第四层为N阱和P阱,第五层为N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、场氧区和铝;第六层至第八层为三层SiO2绝缘介质层,第九层为Si3N4表面钝化层;在所述N‑EPI外延层等间距注入11个N‑Well区,并以处于中间的第6个N‑Well为中心对称分布;每两个相邻的N‑Well之间分布着的N‑EPI的上表面是P型重掺杂硅,即有10个P型重掺杂硅区域,10个P型重掺杂硅区域连接在一起,呈现叉指状分布;所述BN+埋层作为探测器的阴极,铝与N阱上表面的N型重掺杂形成欧姆接触,有11个N阱,所有N阱上表面的N型重掺杂硅连接在一起,并引出作为硅基光电探测器的阴极,阴极接高电位;N‑EPI外延层形成探测器的I层;N‑EPI外延层上表面的P型重掺杂硅与其接触的金属铝形成欧姆接触,10个P型重掺杂硅区域作为光电探测器的阳极,阳极作为后续处理电路的输入;N阱外围的P阱形成保护环,保护环用于隔离硅基光电探测器与其他BCD器件;前置放大集成电路包括互阻前置放大器、单双端转换电路、限幅放大器、输出缓冲电路和直流负反馈电路;互阻前置放大器的信号输入端接所述光电探测器信号输出端,互阻前置放大器的信号输出端接单双端转换电路信号输入端;单双端转换电路信号输出端接限幅放大器信号输入端,限幅放大器信号输出端接输出缓冲电路信号输入端,输出缓冲电路信号输出端接外部电路,直流负反馈电路输入端连接到限幅放大器的输出端,直流负反馈电路的输出端则连接到单双端转换电路的输出端。

状态信息

法律状态 费用信息 实施许可 质押保全 专利转移

法律状态 公告日 详情
费用种类 费用金额(单位:元) 缴费人信息 处理状态 缴费日
名称 许可种类 让与人 受让人 当前受让 备案日 变更日 解除日
名称 质押保全类型 出质人 质权人 当前质权人 生效日 变更日 解除日
名称 信息转移类型 变更前权利人 变更后权利人 当前权利人 变更前地址 变更后地址 当前地址 生效日