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基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法
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   CN201010202569.8
   清华大学
   发明授权
   谢丹;罗亚烽;冯婷婷;韩学光;任天令;刘理天

项目介绍

基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法

专利(申请号) CN201010202569.8 申请人 清华大学
IPC分类号
H01L27/115(2006.01)I; H01L21/02(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;G11C11/22(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利类型 发明授权
公开号 CN101872768A 保护年限 20年
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 廖元秋
公开日 1288108800000 发明设计人 谢丹;罗亚烽;冯婷婷;韩学光;任天令;刘理天

摘要

本发明涉及基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法,属于微电子新材料与器件技术领域,该器件的区别特征为隔离层介质为:ZrO2或TiO2;铁电薄膜层为BXT或BXFY中的任意一种:其中,X为掺杂的稀土元素,Y为掺杂的过渡金属元素。该方法包括:对硅衬底进行清洗及氧化:光刻形成源漏区和衬底接触区后生长氧化层:再光刻形成栅区后生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜;在铁电薄膜上溅射电极金属层;再光刻和刻蚀形成栅电极、接触孔;源极、漏极以及衬底接触金属层及电极金属层;最后合金化处理。本发明可获得大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料,用其制备的FEDRAM器件具有更小的漏电,更高的保持特性。

主权项

一种基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器,包括硅衬底、源区、漏区、隔离层介质膜、铁电薄膜层、栅电极、源极、漏极,以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极;其中,在硅衬底中形成源区、漏区和衬底接触区,在硅衬底的上面形成隔离层介质膜,在隔离层介质膜上面形成铁电薄膜层,在铁电薄膜层上面形成栅电极;源极和漏极在栅电极的两侧;其特征在于,所述的隔离层介质膜为:ZrO2或TiO2;所述的铁电薄膜层为BXT或BXFY;其中,BXT中的X为稀土元素La,Nd,Sm,Pr,Gd中的任意一种,BXT中各组份的摩尔比例为:Bi∶X∶Ti∶O=(4‑x)∶x∶3∶12,x取值在0.1<x<1.0的范围内;所述BXT中的Bi,相对于组成式:Bi4‑xXxTi3O12要过量添加,该Bi元素的过剩含量,占Bi、X和Ti元素总量的摩尔百分数为5%≤Bi≤20%;所述BXFY中的X为掺杂稀土元素La,Nd,Sm,Pr,Gd中的任意一种,Y为掺杂过渡金属元素Mn,Nb,Co,Ni中的任意一种;BXFY中各组份的摩尔比例为:(Bi+X)∶(Fe+Y)∶O=1∶1∶3,Bi∶X=(1‑x)∶x,Fe∶Y=(1‑y)∶y,其中,0.01<x<0.2,0.01<y<0.2。

状态信息

法律状态 费用信息 实施许可 质押保全 专利转移

法律状态 公告日 详情
费用种类 费用金额(单位:元) 缴费人信息 处理状态 缴费日
名称 许可种类 让与人 受让人 当前受让 备案日 变更日 解除日
名称 质押保全类型 出质人 质权人 当前质权人 生效日 变更日 解除日
名称 信息转移类型 变更前权利人 变更后权利人 当前权利人 变更前地址 变更后地址 当前地址 生效日